Citata:Rimantas Antanavičius
| Rimantas Antanavičius | |
|---|---|
|
| |
|
| |
| Veikla | |
Rimantas Antanavičius – Lietuvos respublikos fizikos mokslų daktaras.
Biografija
Disertacija
| Rimantas Antanavičius | |
|---|---|
| Titulas | daktaras |
| Disertacijos laipsnis | daktaras |
| Disertacijos metai | 1986 m. birželio 24 d. |
| Mokslų kryptis | Fizika |
| Įstaiga | Vilniaus valstybinis universitetas |
| Disertacija | Tunelinių diodinių struktūrų iš GaSb ir Ga1-x InxSb sukūrimas ir jų elektrofizinių sąvybių tyrimas esant možoms tūrinėms deformacijoms |
| Vadovas | |
| Gynimo taryba | |
| Disertacijos oponentai | |
1986 m. birželio 24 d. apgynė Lietuvos respublikos fizikos mokslų daktaro disertaciją „Tunelinių diodinių struktūrų iš GaSb ir Ga1-x InxSb sukūrimas ir jų elektrofizinių sąvybių tyrimas esant možoms tūrinėms deformacijoms“. Disertaciją apgynė mokslų įstaigoje: Vilniaus valstybinis universitetas.